晶体管电路设计上,晶体管电路实用设计

晶体管放大电路设计

晶体管的三种放大电路有共射、共集、共基。共射：共射放大电路具有放大电流和电压的作用，输入电阻大小居中，输出电阻较大，频带较窄，适用于一般放大。

如下图，其中三极管用任一款小功率NPN管都可以，Rc取3kΩ，Re取30Ω，Rb可以取消或者取很小的阻值。

电压放大倍数Av=100大于60 低频响应小于100Hz 高频响应大于100KHz 输入电压幅度40mV 输出电压不失真幅度4V 输出幅度达到4V时总谐波失真THD2%，信号10mV输出1V时THD0.2 图中晶体管β值按照100设计。晶体管可选用9013。

在线等,大学模电。若晶体管为pnp型该如何设计电路?

换成PNP三极管后的电路。结构变了，输出逻辑与β的关系也会变。既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。

因此，在使用PNP放大电路时，需要进行适当的保护和过载保护来保证安全使用。

PNP晶体管的发射结要正偏，基区的电压要比发射区的电压要低，而集电极要是多数载流子空穴通过，集电区的电压要比基区的要低。这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。

PNP输出：如下图所示，PNP形式输出的信号，其负载为下拉电阻，到PLC上或其他输入设备上的接线是output（ 信号线）与0V（电源负）之间，所以接在PLC上时，信号线接I（输入）口，把0V接COM端。

晶体管放大电路的三种接法分比为共射接法，共基接法，共集接法，他们的区别为：共射接法为基极和发射极构成输入回路，集电极和发射极构成输出回路。

场效应晶体管驱动设计,工程师必须掌握

1、不同封装的MOS管热阻不同，安装方式和爬电距离也不一样，需要综合评估。

2、漏源击穿电压 漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应晶体管正常工作所能接受的漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应晶体管上的工作电压必需小于BUDS。

3、功率MOSFET（金属－氧化物-半导体场效应晶体管）是最重要的一种功率场效应晶体管，除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。

4、不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。

5、这让金氧半场效晶体管和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。

6、场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。

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