ddr3设计教程之设计篇,ddr3设计注意事项
作者:admin 发布时间:2024-02-08 10:30 分类:资讯 浏览:41 评论:0
DDR3地址线如何优化设计
首先要确定DDR的拓补结构,一句话,DDR1/2采用星形结构,DDR3采用菊花链结构。拓补结构只影响地址线的走线方式,不影响数据线。以下是示意图。
一般ddr少地址线直接全部整等长,多的话,是可以再细分小组的,小组内必须登长,组之间的话,看datasheet吧。
准备好扇出CPU的DDR3接口信号了吗?选择合适的过孔并为特定信号组确定所用的PCB层,会大大降低DDR3信号布线的难度。信号组的颜色各异,也有助于在设计时区分它们。
DDR的设计一般数据线没有必要控制在+-5,控个+-20就可以了,地址线必须要控制+-200其实问题不大但正常设计都是在100以内。地址线是用来传输地址信息用的。
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
ddr3内存条频率
1、DDR3内存频率有1031600、2132400四种。计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度,在石英晶片上加上电压,其就以正弦波的形式震动起来,这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。
2、ddr3频率有6种:800Mhz、1066Mhz、1333Mhz、1600Mhz、1866Mhz、2400Mhz 前两种(800Mhz、1066Mhz)目前比较少见,是DDR2和DDR3换代时候的产品,比较旧。 中两种(1333Mhz、1600Mhz)最常见,目前大部分电脑都是这两种。
3、标准DDR3内存的频率范围是800MHz到2133MHz。具体可选的频率取决于主板和CPU支持的最高频率,以及内存条本身的规格。一般来说,较新的主板和CPU会支持更高速度的DDR3内存,但需要注意兼容性问题。
ddr3的vref电源怎么设计
1、图1是使用晶体三极管的输出电压可调的稳压电源。该电路是通过改变与负载串联的大功率晶体三极管Tr1的管压降来调节输出电压。输出电压Vout由A点的电压,即Vref+VBE2决定。
2、绝对等长是否满足要求,相对长度是否容易实现:布局时需要确认长度限制,及时序要求,留有足够的绕等长空间。
3、VTT用作上拉,稳定信号传输,VREF在DDR1, DDR2,DDR3内存插槽的1脚上都能测量到,VTT电压在内存插槽旁边的排阻上测量,DDR3的VTT电压值可以在120/240脚测量,VTT和VREF电压值为内存主供电电压值得一半。
4、逻辑Bank数量DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
ddr3使用什么预取设计
DDR3使用8n预取设计,即在一个时钟周期内完成8n位数据的读取或写入。这种设计可以显著提高内存带宽,从而加快数据传输速度。
倍增预取DDR3内存条采用了双倍增预取技术,每次传输的数据量比DDR2内存条增加了两倍,这样可以显著提高内存吞吐量。低功耗DDR3内存条相较于DDR2内存条只需5V电压工作,这远低于DDR2内存条的8V。
ddr3:采用8bit预取设计,DDR3显存规格为8M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。
ddr3的预读取是8个bit,8bit预取技术即是在I/O控制器发出请求信号之前,存储单元已经事先准备好了8bit的数据。
新型设计 8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM核心的频率只有等效数据频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率(核心频率)只有100MHz。 采用点对点的拓扑架构,以减轻地址/命令与控制汇流排的负担。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计: DDR3 1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
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